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登山莫为难,学习 [复制链接]

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只看楼主 倒序阅读 0 发表于: 2006-07-10
— 本帖被 sanyue 从 动手一族和玩家 show 移动到本区(2010-01-10) —

三極真空管的簡化電路模型

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三極真空管的簡化電路模型

分析三極真空管電路時,有一個非常基本的公式: e_{pk}+\mu e_{gk}=i_p\times r_p

TriodeS.jpg

  • epk : 屏極與陰極間的壓差.
  • egk : 柵極與陰極間的壓差.
  • ip :屏流.
  • rp : 屏內阻.
  • μ : 放大率.


三極真空管放大電路的電壓增益、電流增益、輸入阻抗、輸出阻抗…等等的計算公式,幾乎都由這個基本的公式推導出來。但這個公式從何而來?代表什麼意義?卻很少見到有人深入討論。

其實這個公式是在描述三極真空管的簡化電路模型,而這個簡化電路模型是從三極真空管的特性曲線圖而來。

下圖是一個以屏極電壓 epk 為橫軸、屏流 ip 為縱軸的典型三極真空管的特性曲線圖:

EpkIp.jpg

這個三極真空管特性曲線圖只有第一象限,也就是屏流 ip 和屏極電壓 epk 大於 0 的區域。

由於一般使用三極真空管時,都只工作在這個區域,所以對於三極真空管特性的探討也都侷限在這個區域。

如果將三極真空管特性曲線圖以分段線性的方式加以簡化,可以簡化成像下面這樣的特性曲線圖:

EpkIp2.jpg

這個特性曲線圖將屏內阻 rp 當成不會隨屏流 ip 和屏極電壓 epk 變化的線性電阻,所以 rp 被當成一個固定不會變的常數。

而柵極電壓 egk 與屏極電壓 epk 間的放大率 μ 也被當成一個固定不會變的常數。

那麼這個特性曲線圖所代表的是像下面這樣的等效電路模型:

TriodeT.jpg

由這個等效電路模型可以得到:

e_{pk}=i_{p}\times r_{p}-\mu e_{gk}

也就是e_{pk}+\mu e_{gk}=i_p\times r_p

它所代表的意義是說:三極真空管就好像一個內阻為rp、放大率為 μ 的「受控電壓源」。

這個「受控電壓源」為 - μegk,其中的負號代表柵極電壓egk與屏極電壓epk反相。

把內阻為rp、放大率為 μ 的「受控電壓源」由戴維寧等效電路轉換成諾頓等效電路,則得到下面這個等效電路模型:

TriodeN.jpg

它所代表的意義則變成:三極真空管就好像一個內阻為rp、互導為gm的「受控電流源」。

如果「受控電流源」的方向掉換一下,如下圖,意義是一樣的。

TriodeN1.jpg

這個等效電路模型的計算公式為:

e_{pk}  = ( i_{p} - gm\times e_{gk} )\times r_{p}

互導 gm = {\mu\over r_{p}} 的推導證明如下:

因 ( i_{p} - gm\times e_{gk} )\times r_{p} = i_{p}\times r_{p} - \mu\times e_{gk}

→ i_{p}\times r_{p} - gm\times e_{gk}\times r_{p} = i_{p}\times r_{p} - \mu\times e_{gk}

→ gm\times e_{gk}\times r_{p} = \mu\times e_{gk}

→ gm\times r_{p} = \mu

證得 gm = {\mu\over r_{p}}


像這樣的簡化電路模型其實只能簡單描述三極真空管的動作而已,它和實際三極真空管的特性仍然有很大的差異, 把實際的三極真空管特性曲線圖跟以分段線性簡化的特性曲線圖重疊之後,如下圖所示,便可看出實際三極真空管跟簡化電路模型的差異。

EpkIp1.jpg

差異的原因在於實際的內阻rp、放大率 μ 會隨屏極電壓epk、屏流ip而變,但是如果把內阻rp、放大率 μ 以屏極電壓epk、屏流ip為變數的函數代入計算公式的話,除非用電腦程式去计算,用纸笔计算会很困难。

 
爱乐永恒
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